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一平方納米存儲設備

一平方納米存儲設備

工程師將存儲設備縮小到一平方納米。德克薩斯大學奧斯汀分校的工程師創造了迄今為止最小的存儲設備,該設備僅使用單個原子來控制其存儲功能。

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該項目基於兩年前的一項發現,當時同一組研究人員創建了當時最薄的,具有單個原子層厚度的存儲設備。該研究團隊將其暱稱為「 (原子電阻)Atomristor」。

他們現在進一步減小了存儲設備的尺寸,將其橫截面面積縮小到一個平方納米。

Deji Akinwande教授說:「用於縮放的科學領域正在下降到一個原子控制記憶功能的水平,而這正是我們在研究中完成的。」

這種小型化要求掌握物理原理,以便將密集的存儲器,存儲功能存儲到這些設備中。 材料中的缺陷或孔洞,提供了解鎖此功能的關鍵:「當單個額外的金屬原子進入該納米級孔並填充該孔時,它將某些導電性賦予材料,這會導致更改或存儲效果。」Deji Akinwande教授說。

儘管研究人員在此《自然納米技術》研究中使用了單層二硫化鉬(MoS2)作為主要的納米材料,但他們希望這可以應用於數百種相關的原子薄材料。

Deji Akinwande教授的設備屬於憶阻器類別。憶阻器是存儲器研究的一個熱門領域,專注於具有修改兩個端子之間的電阻狀態而無需在中間設置門(非易失性電阻切換)的電子元件。這使得它們可以比今天的存儲設備進一步小型化,同時保留巨大的存儲容量。

該憶阻器的容量約為每平方厘米25TB:與商用閃存設備相比,每層的存儲密度高100倍。

使芯片和其他組件小型化的競賽主要是關於便利性和能源效率。較小的處理器允許使用更緊湊的計算設備,同時也降低了其能源需求並增加了容量。這將導致更快的設備消耗更少的電源

美國陸軍研究辦公室計劃經理Pani Varanasi表示:「這項工作取得的成果為開發國防部感興趣的下一代應用程序鋪平了道路,例如超高密度存儲,神經形態計算系統,射頻通信系統等等。」

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